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- 高低侧栅驱动芯片--PN7006
- 型号：PN7006A/B
- PN7006是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率 MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在300V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。
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产品介绍
一 概述
PN7006 是一款基于 P 衬底、P 外延的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作 在 300V 的高压下，可用于驱动 2 个 N 型功率 MOSFET 或 IGBT 结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。
二 特征
* 高压范围达+300 V
* 3.3 V 逻辑兼容
* 自举工作的浮地通道
* 栅驱动电压范围 9.0V～20V
* 输出拉灌电流能力 450 mA / 900mA(Vcc=15V)
* 独立的逻辑输出以适应所有的拓扑结构
* 抗-6V 瞬态负 Vs 能力
* 高低侧通道均延时匹配
三 应用
* 中小型功率电机驱动
* 功率 MOSFET 或 IGBT 驱动
PN7006 是一款基于 P 衬底、P 外延的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作 在 300V 的高压下，可用于驱动 2 个 N 型功率 MOSFET 或 IGBT 结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。
二 特征
* 高压范围达+300 V
* 3.3 V 逻辑兼容
* 自举工作的浮地通道
* 栅驱动电压范围 9.0V～20V
* 输出拉灌电流能力 450 mA / 900mA(Vcc=15V)
* 独立的逻辑输出以适应所有的拓扑结构
* 抗-6V 瞬态负 Vs 能力
* 高低侧通道均延时匹配
三 应用
* 中小型功率电机驱动
* 功率 MOSFET 或 IGBT 驱动
* 半桥和全桥功率变换系统
四 封装
五 应用电路图
