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- 高低侧栅驱动芯片--PN7106
- 型号：PN7106
- PN7106A/B是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和 IGBT半桥驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动 2个N型功率MOSFET或IGBT构成的半桥结构（版本 B），或者其他高低侧结构（版 本 A）。该芯片逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。
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产品介绍
高低侧栅驱动芯片--PN7106
一 概述
PN7106A/B是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和 IGBT半桥驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动 2个N型功率MOSFET或IGBT构成的半桥结构（版本 B），或者其他高低侧结构（版 本 A）。该芯片逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。
二 特征
高压范围达+600 V
3.3 V 逻辑兼容
抗 dV/dt 能力±50 V/nsec
自举工作的浮地通道
栅驱动电压范围 10V～20V
高低侧通道均具有欠压保护（UVLO）功能
输出拉灌电流能力 400 mA / 800mA
独立的逻辑输出以适应所有的拓扑结构（A 版本）
180ns 固定死区时间，以进行防穿通保护（B 版本）
抗-5V 瞬态负 Vs 能力
高低侧通道均延时匹配
三 应用领域
中小型功率电机驱动
功率 MOSFET 或 IGBT 驱动
照明镇流器
半桥功率逆变器
全桥功率逆变器
任何互补型的驱动逆变器（非对称的半桥，有源 钳位）（版本 A）
四 封装
五 应用电路图
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